Samsung cria memórias 3D para IA e promete até 8x mais velocidade
A Samsung anunciou uma nova geração de memórias 3D para inteligência artificial, com a arquitetura zHBM, que empilha a memória verticalmente sobre os chips de processamento. A empresa afirma que a abordagem reduz a distância entre memória e compute e pode entregar até 8 vezes mais velocidade de transferência, além de triplicar a eficiência energética. No evento Future of Memory and Storage 2026, a companhia também citou um marco ao empilhar mais de 400 camadas no mesmo chip e apresentou a memória LPDDR5X-PIM (Processing-in-Memory), além do padrão V10 BV-NAND com aumento de 58% na densidade.
Isso importa porque, em data centers que treinam e rodam LLMs, a memória costuma ser um gargalo: se ela demora, GPUs/CPUs ficam ociosas esperando dados. Com maior largura de banda e processamento mais próximo da memória, a tendência é acelerar cargas de IA e reduzir custos operacionais em escala — com possível efeito indireto em preços e disponibilidade de eletrônicos comuns.
Tecnoblog
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